領域日國屬於後起之秀，60年代，日國在半導體產業上追趕美國。

    當時，日政府以關稅壁壘和貿易保護政策為產業的起步「保駕護航」。

    但外資開始「叩響」大門，終於在1968年，米國德州儀器以合資的模式進入日國市場，並且遵守嚴苛的技術轉讓等限制。

    當時日國內半導體製造設備的國產化比率只有20，美國的反制措施讓日國半導體產業意識到自身的被動。其一，ibm在1970年宣佈將在其新推出的大型計算機中使用半導體存儲器，半導體存儲器開始替代磁芯，在半導體存儲器中佔據重要位置的dram內存晶片，成為潛力無限的大市場。一夜之間行業遊戲規則大變。其二，美國拒絕向日國提供 ic集成電路，使日電子計算器在米國的市場份額從繁盛時期的80跌至了1974年的27。

    由此，日國開始以「舉國之力」來進行自主研發。

    一個官產學研發項目，徹底改變了日國半導體產業的地位。

    這個項目就是日國通商產業省（經濟產業省前身）發起成立的vlsi共同研究所（超lsi技術研究組合），「打造未來計算機必不可少的大規模集成電路」這一口號也顯示了日國的巨大野心。

    日過通產省將市場中的各大競爭對手（富士通、日立、三菱電機、東芝和nec）的研發人員集結起來，總計投入700億日元，政府出資290億日元（幾乎相當於當時通產省補貼支出的一半）。

    70年代對美國等外部的關鍵製程設備和生產原料依賴率達到80，而到1980年代初，日過半導體製造裝置國產化率達到了70以上，為日後超越美國成為半導體業霸主奠定了基礎。

    由此日過半導體業開啟了「黃金時代」，全球市場份額不斷上升，在世界範圍內開始具有舉足輕重的地位。

    以1980年投入市場的64k dram為例，1981年，日立市場佔有率全球第一，佔40的份額；第二位是富士通，佔20，nec佔9。之後，nec主導了256k時代，東芝主導了1mb時代。

    到1986年，日國半導體企業在全球dram的市佔率達到了80，超越了美國。

    這一時期的日本產業發展主要靠出口，1970-1985年的15年間，日本該產業的產值增加了5倍，出口增加了11倍。

    禍兮福所倚，福兮禍所伏。

    廣場協議之後，日國遭受米國重創，繼而又因為自己犯下了致命錯誤，導致該行業崩塌。

    1980年代後期，日國的dram市場份額開始大幅衰退，根本原因是dram市場結構發生巨變，頻繁發生的毛衣摩擦也一定程度上阻礙了行業發展。